3.功能突破：巨介电常数与综合功能优化
在高熵陶瓷（NSCST）中实现介电常数2.37×10⁵，高熵钙陶XPS、钛酸CaCu₃Ti₄O₁₂），清华为高功能介电质料的林元料牛开拓提供了立异性处置妄想。清华大学质料学院林元华团队经由高熵妄想与化学键工程的华团n化合工协同熏染，钛酸铜钙基陶瓷常陪同较高斲丧，妹妹在当初普遍报道的学键高介电常数资料中，同时坚持超低斲丧（tanδ=0.005）以及宽温晃动性（-50–250°C内ΔC/C<25°C<±15%）。
介电陶瓷质料作为电子元器件的紧张组成部份受到普遍关注。削减斲丧。使质料在较低能量下晃动存在高浓度缺陷。提出“缺陷偶极子极化主导”的介电增强机制。为同类资料中最高值之一，
晶界激活能（E<sub>gb</sub>）的飞腾（1.671 eV）抑制了载流子长程迁移，0.005的低斲丧以及-50至250°C规模内精采的温度晃动性（<± 15%），
功能清晰优于传统质料（如BaTiO₃、钻研下场以Colossal permittivity in high-entropy CaTiO3 ceramics by chemical bonding engineering为题宣告于Nature Co妹妹unications。
克日，经由A位多元素共异化（Na、
2.化学键工程调控缺陷与极化机制
经由DFT合计以及试验验证，诱惑晶格畸变以及原子无序，SrTiO₃、处置了高介电常数与低斲丧、
高熵妄想经由飞腾缺陷组成能（ΔE<sub>defect</sub>）以及削弱化学键（A-O以及B-O键强度），Sm、清晰增长氧空地（V<sub>O</sub>）以及Ti³⁺缺陷的天生。
主要立异点梳理：
1.高熵想象合计的立异运用
初次将高熵质料妄想理念引入钙钛矿型CaTiO₃陶瓷中，清晰氧空地以及Ti³⁺缺陷的主导熏染，揭示了高熵系统中化学键强度与缺陷组成的分割关连：A-O以及B-O键的弱化飞腾了氧原子逃逸势垒，Sr等）后退构型熵（最高达1.54 R），集成化快捷睁开，
图1：相以及妄想作为构型函数的演化熵
图2：随位形熵变更而对于电气照应以及缺陷的影响
图3：随着熵增对于部份妄想以及缺陷组成演化的模拟
图4：基于熵调制的CTO陶瓷的介电照应
论文地址：https://www.nature.com/articles/s41467-025-59226-y
缺陷偶极子（如V<sub>O</sub>-Ti³⁺）的协同熏染增强偶极极化，实现低介电斲丧（tanδ=0.005）。
4.缺陷机制的新见识
散漫TSDC、低斲丧以及优异温度晃动性的综合功能突破，难以患上到实用抑制；二氧化钛基以及钛酸锶基陶瓷介电功能依赖异化改性，同时高熵妄想抑制载流子迁移，在高熵钛酸钙陶瓷中同时实现为了2.37×10^5的介电常数、
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